Si24R2E
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+7dBm,2.4GHz单发射 内置NVM,QFN20封装
产品概述
工作频段 | 2.4GHz | ||
---|---|---|---|
关断电流 | 700nA | ||
发射功率/电流 | +7dBm(最高) | 25mA | |
+4dBm | 17mA | ||
0dBm | 13.5mA | ||
-6dBm | 10mA | ||
-12dBm | 8.5mA | ||
数据速率 | 2Mbps | 1Mbps | 250Kbps |
NVM可编程次数 | 128次 | ||
电源电压 | 1.9-3.6V | ||
调制方式 | GFSK/FSK | ||
待机电流 | 15uA | ||
接口协议 | 最高10MHz四线SPI接口 | ||
快速启动时间 | ≤130uS | ||
数字IO电压 | 1.9V - 5.25V | ||
外接晶振 | 16MHz±60ppm | ||
其它 | 3.3V编程电压 | ||
超低功耗自动发射功能 | |||
集成防冲突通信机制 | |||
设计简单 无需用户编程 | |||
内置128次可编程NVM存储器 | |||
内置硬件Watchdog | |||
内置3KHz RCOSC | |||
具有低电压自动报警功能 | |||
具有防拆卸报警功能 | |||
发射数据硬件中断输出 | |||
兼容 Si24R1 和 Si24R2 发射功能 |
QFN20 / 4*4*0.8mm
Si24R2E是针对有源RFID市场设计的低功耗、高性能的2.4GHz标签系统的SoC单芯片,集成嵌入式2.4GHz无线射频发射器模块、128次可编程NVM存储器模块以及自动发射控制器模块等。
Si24R2E采用GFSK/FSK数字调制与解调技术。数据传输速率可配置,支持2Mbps、1Mbps和250Kbps三种数据速率。最高发射功率+7dBm,芯片输出功率可调节,可根据实际应用配置合适的输出功率,节省系统功耗。
Si24R2E针对低功耗应用场合进行了特别优化,在关断模式下,所有寄存器值与FIFO 值保持不变,关断电流为700nA;在待机模式下,时钟保持工作,工作电流为15uA,并且可以在最长130uS 时间内开始数据的发射。Si24R2E 的平均功耗非常低,特别适合纽扣电池供电的应用系统。
Si24R2E内部集成可编程NVM存储器,一键生成软件,无须用户编程。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,支持NVM加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。
Si24R2E 具有非常低的系统应用成本,不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可组成一个有源RFID无线数据发射系统。
Si24R2E的外围电路简单且不需要编程,在实际生产中,能保证产品的一致性,成品率更高,便于用户大量生产,解决了用户在标签研发和生产上的难题。
Si24R2E 芯片图
脚位图
典型应用原理图
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应用领域
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开发套件&支持
相关产品
型号 | 收/发 | 频段 | 最高发射功率 | 封装 | NVM可编程次数 | 睡眠电流 | 数据速率 | 接收灵敏度 |
Si24R1 | 收发一体 | 2.4GHz | +7dBm | QFN20 | / | 1uA | 250K,1M,2M | -83dBm@2Mbps |
Ci24R1(SOP8) | 收发一体 | 2.4GHz,BLE | +11dBm | SOP8 | / | 2uA | 250K,1M,2M | -80dBm@2Mbps |
Ci24R1(DFN8) | 收发一体 | 2.4GHz,BLE | +11dBm | DFN8 | / | 2uA | 250K,1M,2M | -80dBm@2Mbps |
Si24R2 | 单发射 | 2.4GHz | +7dBm | QFN20 | / | 300nA | 250K,1M,2M | / |
Si24R2F | 单发射 | 2.4GHz | +12dBm | QFN20 | 64 | 1uA | 250K,1M,2M | / |
Si24R2F+ | 单发射 | 2.4GHz | +12dBm | QFN20 | 64 | 1uA | 250K,1M,2M | / |
Si24R2H | 2.4G发射&125K接收 | 2.4G,125K,BLE | +14dBm | QFN32 | 32 | 1uA | 250K,1M,2M | 125K接收60uVRMS |
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